[发明专利]利用一个或多个半导体衬底制造材料的独立式厚度的方法

权利要求书

1.一种利用一个或多个半导体衬底来制造材料的独立式厚度的方法，包括：

提供具有表面区域和厚度的半导体衬底；

使所述半导体衬底的表面区域经受利用直线性加速器产生的第一多个高能粒子，以在切割区域内形成多个吸取部位的区域，所述切割区域被提供在所述表面区域下方以限定待分开的材料的厚度，所述半导体衬底被保持在第一温度，所述第一高能粒子以第一注入角度被提供；

使所述半导体衬底经受处理工艺；

使所述半导体衬底的表面区域经受利用所述直线性加速器产生的第二多个高能粒子，提供所述第二多个高能粒子以将所述切割区域的应力水平从第一应力水平增加至第二应力水平，使所述半导体衬底保持在第二温度，以第二注入角度提供所述第二多个粒子；以及

利用切割工艺使可分开材料的厚度独立。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底包括单晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一高能粒子包括氢物质。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氢物质以2×10¹⁶/cm²和更小的剂量提供。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氢物质以5×10¹⁵/cm²和更小的剂量提供。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一高能粒子包括氦物质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底被提供在托盘装置上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述托盘装置提供用于所述第一注入角度和所述第二注入物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一注入角度为约0至约30度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一注入角度为约0至约25度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二高能粒子包括氢物质。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述氢物质包括5×10¹⁶/cm²和更小的剂量。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述氢物质包括5×10¹⁵/cm²和更小的剂量。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二高能粒子包括来源于远程等离子体系统的氦物质或者氦物质和氢物质的组合

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二注入角度为约0至约15度。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二注入角度为约0至约7度。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直线性加速器包括射频四极(RFQ)。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直线性加速器包括漂移管直线性加速器(DTL)。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直线性加速器包括RF-聚焦交指型直线性加速器(RFI)。

21.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一多个高能粒子以范围为1MeV至5MeV的能量提供。

22.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸取部位包括在所述切割区域附近内的显微缺陷区域。

23.根据权利要求1所述的方法，其中，所述显微缺陷区域包括在所述半导体衬底的某些晶面之间提供的多个空穴。

24.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理工艺是在400℃或更高的温度下提供的热加工，以使所述显微缺陷区域靠近所述切割区域并且稳定所述显微缺陷区域。

25.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度的范围为约100℃至约250℃。