[发明专利]磁性随机存取存储器及其形成方法无效
| 申请号： | 200810005871.7 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101252143A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 斯瓦纳达·K.·卡纳卡萨巴帕斯;迈克尔·C.·盖迪斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/82;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存取存储器及其形成方法。在一个实施例中，本发明是一种在磁性随机存取存储器中进行位线和接触通孔集成的方法和设备。根据本发明的磁性随机存取存储器的一个实施例包括磁性隧道结和顶部导线，该顶部导线在至少三个侧面上围绕磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器，包括：磁性隧道结；以及顶部导线，其在所述磁性隧道结的至少三个侧面上围绕所述磁性隧道结。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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