[发明专利]磁性随机存取存储器及其形成方法无效
申请号: | 200810005871.7 | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN101252143A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 斯瓦纳达·K.·卡纳卡萨巴帕斯;迈克尔·C.·盖迪斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L21/82;G11C11/15;G11C11/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种磁性随机存取存储器,包括:
磁性隧道结;以及
顶部导线,其在所述磁性隧道结的至少三个侧面上围绕所述磁性隧道结。
2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器,其中,所述顶部导线是位线。
3.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器,其中,所述顶部导线是字线。
4.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器,其中,所述顶部导线还围绕将所述顶部导线耦接到所述磁性隧道结的通孔。
5.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器,其中,由铁磁性衬里对所述顶部导线加衬,该铁磁性衬里至少包括:
顶壁;
耦接到所述顶壁的第一侧壁;以及
耦接到所述顶壁的第二侧壁,并且该第二侧壁与所述第一侧壁相对设置。
6.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器,还包括:
电连接到所述顶部导线的外围逻辑布线。
7.如权利要求6所述的磁性随机存取存储器,其中,所述顶部导线下沉得比所述外围逻辑布线下沉得更深。
8.一种形成磁性随机存取存储器的方法,包括:
提供磁性隧道结;以及
由顶部导线在至少三个侧面上围绕所述磁性隧道结。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述顶部导线是位线。
10.如权利要求8所述的方法,其中,所述顶部导线是字线。
11.如权利要求8所述的方法,还包括:
在所述磁性隧道结和所述顶部导线之间提供电介质下层。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述顶部导线通过以下步骤形成:
在所述电介质下层上方施加层间电介质;以及
在所述层间电介质中限定用于所述顶部导线的沟槽。
13.如权利要求12所述的方法,还包括:
利用铁磁性衬里对所述沟槽的至少一部分加衬。
14.如权利要求11所述的方法,还包括:
限定穿过所述电介质下层的通孔,以将所述顶部导线连接到所述磁性隧道结。
15.如权利要求14所述的方法,其中,利用三层光刻来限定所述通孔。
16.如权利要求12所述的方法,还包括:
在所述层间电介质中蚀刻镶嵌沟槽,以用于外围布线。
17.如权利要求16所述的方法,其中,利用三层光刻来蚀刻所述镶嵌沟槽。
18.如权利要求16所述的方法,还包括:
限定穿过所述层间电介质的第一通孔,以将所述外围布线连接到外围布线互连。
19.如权利要求18所述的方法,还包括:
根据单个三层光刻步骤来基本上与限定所述第一通孔的步骤同时地限定第二通孔以将所述顶部导线连接到所述磁性隧道结。
20.如权利要求18所述的方法,其中,所述限定包括:
根据第一三层光刻步骤来限定所述第一通孔;以及
根据第二三层光刻步骤来限定第二通孔以将所述顶部导线连接到所述磁性隧道结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的