[发明专利]减薄样品的方法和用于执行所述方法的样品载体无效
| 申请号: | 200810005764.4 | 申请日: | 2008-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN101241838A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
| 发明(设计)人: | R·莱曼 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明描述了一种用于减薄从(例如)半导体晶片截取的样品(1)的样品载体(3)。样品载体包括具有外边界(6)的例如由铜制成的刚性部分(5)以及延伸超出所述外边界、例如由碳制成的支持膜(4)。通过将样品放在支持膜上,例如可以用IBID将样品附着于刚性结构。当把样品放到支持膜上时支持膜将样品对准。在将样品附着到刚性结构后,可以用例如离子束将样品减薄,在减薄期间也将支持膜局部地去除。本发明获得了样品与样品载体的更好对准,而且借助于例如带电玻璃针(2)在如何将样品从晶片转移到样品载体方面获得了更多自由度。后者消除了通常与将样品转移到样品载体关联的附着/分开步骤。 | ||
| 搜索关键词: | 样品 方法 用于 执行 载体 | ||
【主权项】:
1.一种用于减薄样品的方法,所述方法包括:·提供附着于探头(2)的样品(1);·提供样品载体(3),所述样品载体表现出刚性结构(5),所述刚性结构表现出该样品可以附着的边界(6);·将所述样品附着到所述刚性结构的所述边界;以及·将所述样品暴露于铣削处理或蚀刻处理,以便至少部分地减薄所述样品,其特征在于·所述样品载体(3)装备有粘附到所述刚性结构(5)的支持膜(4),所述支持膜至少部分地延伸超出样品可以附着的所述刚性结构的边界(6),并且·在将所述样品(1)附着到所述刚性结构(5)之前,将所述样品放到所述支持膜(4)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





