[发明专利]减薄样品的方法和用于执行所述方法的样品载体无效
| 申请号: | 200810005764.4 | 申请日: | 2008-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN101241838A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
| 发明(设计)人: | R·莱曼 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 样品 方法 用于 执行 载体 | ||
1.一种用于减薄样品的方法,所述方法包括:
·提供附着于探头(2)的样品(1);
·提供样品载体(3),所述样品载体表现出刚性结构(5),所述刚性结构表现出该样品可以附着的边界(6);
·将所述样品附着到所述刚性结构的所述边界;以及
·将所述样品暴露于铣削处理或蚀刻处理,以便至少部分地减薄所述样品,
其特征在于
·所述样品载体(3)装备有粘附到所述刚性结构(5)的支持膜(4),所述支持膜至少部分地延伸超出样品可以附着的所述刚性结构的边界(6),并且
·在将所述样品(1)附着到所述刚性结构(5)之前,将所述样品放到所述支持膜(4)上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述样品(1)位于所述支持膜(4)的与所述刚性结构(5)相反的表面上。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在将所述样品(1)放到所述支持膜(4)上之后,所述支持膜的一部分位于所述样品的一部分和所述刚性结构(5)之间。
4.根据前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述边界(6)为外边界,使得所述支持膜(4)未完全被所述刚性结构(5)包围。
5.根据前述权利要求的任一项所述的方法,其中铣削所述样品(1)包括将所述样品暴露于粒子束。
6.根据前述权利要求的任一项所述的方法,其中利用EBID或IBID或LBID执行所述样品(1)的附着。
7.根据前述权利要求的任一项所述的方法,其中在所述铣削处理期间,所述支持膜(4)至少部分被去除。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述铣削处理至少从所述样品(1)的减薄部分(8A)完全去除所述支持膜(4)。
9.一种用于在粒子光学设备中承载样品(1)的样品载体(3),所述样品载体装备有刚性结构(5),所述刚性结构表现出样品可以附着的外边界(6),其特征在于,所述样品载体包括用于支持所述样品的支持膜(4),所述支持膜粘附到所述刚性结构(5)并从所述外边界(6)延伸,使得所述支持膜未完全被所述刚性结构包围。
10.根据权利要求9所述的样品载体,其中所述支持膜(4)为碳膜或聚合物膜。
11.根据权利要求9或权利要求10所述的样品载体,其中所述刚性结构(5)包括金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





