[发明专利]热接口材料及其制造方法与应用该材料的电子装置无效
| 申请号： | 200810005659.0 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101508845A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 苏峻苇 | 申请（专利权）人： | 苏峻苇 |
| 主分类号： | C08L83/04 | 分类号： | C08L83/04;C08K9/04;C09J183/04;C09K5/08;H05K7/20;H01L23/373 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
一种热接口材料及其制造方法与应用该材料的电子装置，该热接口材料包含基质组分、及分布于该基质组分中的官能化碳纳米管组分。该基质组分为有机硅高分子的粘滞性液体。该官能化碳纳米管组分包括多个分布于该基质组分中，并具有结构式(I)的官能化碳纳米管，其中，n为大于1的整数；Y为纳米级中空管状碳化合物； |
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| 搜索关键词： | 接口 材料 及其 制造 方法 应用 电子 装置 | ||
【主权项】：
1、一种热接口材料，其包含基质组分、及分布于该基质组分中的官能化碳纳米管组分；其特征在于：该基质组分为有机硅高分子的粘滞性液体；及该官能化碳纳米管组分包括多个分布于该基质组分中、并具有以下结构式(I)的官能化碳纳米管：其中，n为大于1的整数；Y为纳米级中空管状碳化合物；为连接在该纳米级中空管状碳化合物表面的官能团，X表示OR或NR′R″，且R为C1-C27烷基，R′为氢或C1-C18烷基，R″为C1-C18烷基。
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