[发明专利]包含栅极电压提升的静电放电防护电路

摘要

一种包含栅极电压提升的静电放电防护电路，其是用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路，包含：电压源，用以提供电压；第一PMOS，耦接至电压源；第一NMOS，耦接至PMOS；寄生二极管，耦接至PMOS；第二NMOS，耦接至PMOS的漏极；第一寄生电容，耦接至第二NMOS；第二寄生电容，耦接至第一寄生电容与第二NMOS；栅极电压提升电路，耦接至第二NMOS的栅极与源极；其利用一栅极电压提升电路用以提升第二N型金属氧化物半导体的栅极电压。本发明所述的包含栅极电压提升的静电放电防护电路，可解决NMOS栅极电压过低以及不正常导通而降低静电放电防护表现等问题。

主权项

1.一种包含栅极电压提升的静电放电防护电路，其特征在于，用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路，该包含栅极电压提升的静电放电防护电路包含：一电压源，用以提供一电压；一第一P型金属氧化物半导体，耦接至该电压源；一第一N型金属氧化物半导体，耦接至该P型金属氧化物半导体；一寄生二极管，耦接至该P型金属氧化物半导体；一第二N型金属氧化物半导体，耦接至该P型金属氧化物半导体的漏极；一第一寄生电容，耦接至该第二N型金属氧化物半导体；一第二寄生电容，耦接至该第一寄生电容与该第二N型金属氧化物半导体；一栅极电压提升电路，耦接至该第二N型金属氧化物半导体的栅极与源极；其中该栅极电压提升电路用以提升该第二N型金属氧化物半导体的栅极电压。