[发明专利]包含栅极电压提升的静电放电防护电路

权利要求书

1.一种包含栅极电压提升的静电放电防护电路，其特征在于，用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路，该包含栅极电压提升的静电放电防护电路包含：

一电压源，用以提供一电压；

一第一P型金属氧化物半导体，耦接至该电压源；

一第一N型金属氧化物半导体，耦接至该P型金属氧化物半导体；

一寄生二极管，耦接至该P型金属氧化物半导体；

一第二N型金属氧化物半导体，耦接至该P型金属氧化物半导体的漏极；

一第一寄生电容，耦接至该第二N型金属氧化物半导体；

一第二寄生电容，耦接至该第一寄生电容与该第二N型金属氧化物半导体；

一栅极电压提升电路，耦接至该第二N型金属氧化物半导体的栅极与源极；

其中该栅极电压提升电路用以提升该第二N型金属氧化物半导体的栅极电压。

2.根据权利要求1所述的包含栅极电压提升的静电放电防护电路，其特征在于，该栅极电压提升电路包含：一第三N型金属氧化物半导体、一第一电容、一第一电阻与一接地端。

3.根据权利要求2所述的包含栅极电压提升的静电放电防护电路，其特征在于，该第一电容耦接至该第三N型金属氧化物半导体的源极，该第一电阻耦接于该第一电容与该接地端。