[发明专利]非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有多晶硅鳍的非易失性存储器晶体管、一种具有该晶体管的堆叠式非易失性存储装置、一种制造该晶体管的方法以及一种制造该装置的方法。所述装置可以包括从半导体基底向上突出的有源鳍。至少一个第一电荷存储图案可以形成在有源鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第一控制栅极线可以形成在至少一个第一电荷存储图案的顶表面上。至少一条第一控制栅极线可以与有源鳍交叉。层间介电层可以形成在至少一条第一控制栅极线上。多晶硅鳍可以形成在层间介电层上。至少一个第二电荷存储图案可以形成在多晶硅鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第二控制栅极线可以形成在至少一个第二电荷存储图案的顶表面上，至少一条第二控制栅极线可以与多晶硅鳍交叉。

主权项

1、一种堆叠式非易失性存储装置，所述装置包括：有源鳍，从半导体基底向上突出；至少一个第一电荷存储图案，在所述有源鳍的顶表面和侧壁上；至少一条第一控制栅极线，在所述至少一个第一电荷存储图案的顶表面上，并与所述有源鳍交叉；层间介电层，在所述至少一条第一控制栅极线上；多晶硅鳍，在所述层间介电层上；至少一个第二电荷存储图案，在所述多晶硅鳍的顶表面和侧壁上；至少一条第二控制栅极线，在所述至少一个第二电荷存储图案的顶表面上，并与所述多晶硅鳍交叉。