[发明专利]具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法

摘要

本发明披露了一种具有双金属栅极的CMOS元件制作方法。所述方法包括：在一具有第一有源区域、第二有源区域、与一提供电性隔离的浅沟隔离的基底上分别形成第一与第二导电型晶体管；进行一金属硅化物工艺；于该基底上形成一内层介电层；进行第一蚀刻工艺，移除该第一导电型晶体管的部分栅极并形成一开口，该第一导电型晶体管的一高介电常数栅极介电层暴露于该开口底部，并在该开口内形成第一金属层。

主权项

1.一种具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面定义有第一有源区域与第二有源区域；在该第一有源区域与该第二有源区域内分别形成第一导电型晶体管与第二导电型晶体管；进行一自对准金属硅化物工艺；在该基底上形成一内层介电层，且该内层介电层暴露出该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管的顶部；进行第一蚀刻工艺，用以移除该第一导电型晶体管部分的第一栅极，而在该第一有源区域内形成一开口，且该第一导电型晶体管的高介电常数栅极介电层暴露于该开口的底部；以及在该开口内至少形成第一金属层。