[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

主权项

1.一种有源矩阵发光器件，包括：包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管又包括：半导体层；栅电极；以及设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层；电连接到所述半导体层的第一电极；覆盖所述第一电极的一部分的划分层；在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；其中，所述划分层的末端是反锥形的。