[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵发光器件，包括：

包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：

薄膜晶体管，该薄膜晶体管又包括：

半导体层；

栅电极；以及

设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层；

电连接到所述半导体层的第一电极；

覆盖所述第一电极的一部分的划分层；

在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及

在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；

其中，所述划分层的末端是反锥形的。

2.如权利要求1所述的有源矩阵发光器件，其中，所述半导体层包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区之间的第二掺杂区；以及

所述栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。

3.如权利要求1所述的有源矩阵发光器件，其中，所述栅电极设在所述半导体层之上，而所述绝缘层设在所述栅电极和所述半导体层之间。

4.一种有源矩阵发光器件，包括：

包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管又包括：

第一半导体层；

第一栅电极；以及

设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间的绝缘层；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管又包括：

第二半导体层；

电连接到所述第一半导体层的第二栅电极；以及

设置在所述第二半导体层和所述第二栅电极之间的绝缘层；

电连接到所述第二半导体层的第一电极；

覆盖所述第一电极的一部分的划分层；

在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及

在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；

其中，所述划分层的末端是反锥形的。

5.如权利要求4所述的有源矩阵发光器件，其中，所述第一半导体层包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区之间的第二掺杂区；以及

所述第一栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。

6.如权利要求4所述的有源矩阵发光器件，其中，

所述第一栅电极设在所述第一半导体层之上，而所述绝缘层设在所述第一栅电极和所述第一半导体层之间；以及

所述第二栅电极设在所述第二半导体层之上，而所述绝缘层设在所述第二栅电极和所述第二半导体层之间。

7.一种有源矩阵发光器件，包括：

在衬底上包括多个像素的像素部分；以及

在所述衬底之上的驱动电路，

其中，所述多个像素中的每一个像素包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管又包括：

半导体层；

栅电极；以及

设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层；

电连接到所述半导体层的第一电极；

覆盖所述第一电极的一部分的划分层；

在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及

在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；

其中，所述划分层的末端是反锥形的，并且所述驱动电路部分包括第二薄膜晶体管。

8.如权利要求7所述的有源矩阵发光器件，其中，所述半导体层包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区之间的第二掺杂区；以及

所述栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。

9.如权利要求7所述的有源矩阵发光器件，其中，所述栅电极设在所述半导体层之上，而所述绝缘层设在所述栅电极和所述半导体层之间。

10.如权利要求7所述的有源矩阵发光器件，其中，

第二薄膜晶体管包括：

第二半导体层；

第二栅电极；以及

设置在所述第二半导体层和所述第二栅电极之间的绝缘层；

其中，所述第二半导体层包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区之间的第二掺杂区；以及

所述第二栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。