[发明专利]动态随机存取存储器、半导体装置及其形成方法无效
| 申请号： | 200810002982.2 | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101226959A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李镇宇;郑泰荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置、动态随机存取存储器、以及半导体装置的形成方法。该半导体装置包括在具有第一类型杂质离子的半导体基底内所界定的有源区。相反区在所述有源区之内并且具有第二类型杂质离子。上沟道区在所述有源区内的相反区上并且具有第一类型杂质离子。源极区和漏极区在所述有源区内的上沟道区上并且相互间隔开。栅电极填充在所述有源区内形成的栅极沟槽。栅电极布置在所述源极区和漏极区之间并且通过所述上沟道区延伸进入所述相反区。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在具有第一类型杂质离子的半导体基底内界定的有源区；在所述有源区内且具有第二类型杂质离子的相反区；在所述有源区内的所述相反区上并且具有所述第一类型杂质离子的上沟道区；在所述有源区内的上沟道区上并且相互间隔开的源极区和漏极区；和填充在所述有源区内形成的栅极沟槽的栅电极，其中所述栅电极布置在所述源极区和漏极区之间并且贯穿所述上沟道区而延伸进入所述相反区。
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