[发明专利]动态随机存取存储器、半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在具有第一类型杂质离子的半导体基底内界定的有源区；

在所述有源区内且具有第二类型杂质离子的相反区；

在所述有源区内的所述相反区上并且具有所述第一类型杂质离子的上沟道区；

在所述有源区内的上沟道区上并且相互间隔开的源极区和漏极区；和

填充在所述有源区内形成的栅极沟槽的栅电极，其中所述栅电极布置在所述源极区和漏极区之间并且贯穿所述上沟道区而延伸进入所述相反区。

2.根据权利要求1的半导体装置，其中所述第一类型是P型并且所述第二类型是N型。

3.根据权利要求2的半导体装置，其中所述相反区包含磷。

4.根据权利要求2的半导体装置，其中所述上沟道区包含硼。

5.根据权利要求1的半导体装置，其中所述栅极沟槽包括：

上沟槽；和

下沟槽，所述下沟槽连接至所述上沟槽的下部，具有比所述上沟槽大的宽度，并且具有比所述相反区的顶表面的水平低的底部，使得所述下沟槽延伸进入所述相反区。

6.根据权利要求5的半导体装置，其中所述栅电极包括：

填充所述上沟槽的上栅电极；和

填充所述下沟槽并且具有基本球形的下栅电极。

7.根据权利要求6的半导体装置，还包括介于所述上栅电极与所述源极区和漏极区之间的绝缘间隔物。

8.根据权利要求6的半导体装置，还包括在所述下栅电极和相反区之间并且具有所述第一类型杂质离子的下沟道区，其中所述上沟道区和下沟道区界定在所述源极区和漏极区之间延伸并连接所述源极区和漏极区的具有所述第一类型杂质离子的沟道区，并且其中所述源极区和漏极区具有所述第二类型的杂质离子。

9.根据权利要求1的半导体装置，还包括界定所述有源区的隔离层，其中所述相反区具有布置在比所述隔离层的底部的水平高的顶表面，以便提供所述隔离层与所述相反区接触的侧壁区。

10.一种动态随机存取存储器，包括：

具有第一类型杂质离子的半导体基底；

在所述半导体基底内界定的有源区；

在所述有源区内并且具有第二类型杂质离子的相反区；

在所述有源区内的相反区上并且具有所述第一类型杂质离子的上沟道区；

在所述有源区内的上沟道区上的相互隔离开的源极区和漏极区；

在所述有源区内填充栅极沟槽的栅电极，其中所述栅电极布置在所述源极区和漏极区之间并且贯穿所述上沟道区而延伸进入所述相反区；

下沟道区，在夹置于所述栅电极和相反区之间的所述栅极沟槽内，所述上沟道区和下沟道区界定在所述源极区和漏极区之间延伸并且连接所述源极区和漏极区的沟道区，其中所述相反区电隔离所述上沟道区和下沟道区与所述半导体基底，从而控制由于本体偏压所引起的阈值电压的增加；

在所述上沟道区上的绝缘层；

延伸通过所述绝缘层并且接触所述源极区或漏极区的埋藏接触栓；和

在所述绝缘层上并且接触所述埋藏接触栓的存储节点。

11.根据权利要求10的动态随机存取存储器，其中所述第一类型是P型并且所述第二类型是N型。

12.根据权利要求11的动态随机存取存储器，还包括界定所述有源区的隔离层，其中所述相反区具有布置在比所述隔离层的底部的水平高的顶表面，以便提供所述隔离层与所述相反区接触的侧壁区。

13.根据权利要求11的动态随机存取存储器，其中所述绝缘层包括下绝缘层和上绝缘层，所述存储节点在所述上绝缘层上，并且其中所述动态随机存取存储器还包括：

在所述下绝缘层上的位线；和

延伸通过所述下绝缘层并且将所述位线与所述源极区和漏极区的另一个连接的位线栓。

14.根据权利要求10的动态随机存取存储器，其中所述栅电极包括：

介于所述源极区和漏极区之间的上栅电极；和

连接至所述上栅电极的下部并且具有比所述上栅电极大的宽度的下栅电极，其中所述下栅电极延伸至比所述相反区的顶表面低的水平，使得所述下栅电极延伸进入所述相反区并且其中所述下栅电极具有球形。