[发明专利]晶圆后侧聚合物去除和晶圆前侧清除剂等离子体的工艺无效
| 申请号： | 200810000281.5 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101261930A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·S·柯林斯;塙广二;安德鲁·阮;阿吉特·巴拉克里什纳;戴维·帕拉加什维里;詹姆斯·P·克鲁兹;珍妮弗·Y·孙;瓦伦丁·N·托铎洛;沙希·拉夫;卡提克·雷马斯瓦米;格哈德·M·施奈德;伊马德·优素福;马丁·杰弗里·萨利纳斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种从工件后侧去除聚合物的工艺。该工艺包括在真空腔中在后侧支撑工件，同时使后侧的外围环形部分暴露出。该工艺还包括将工件边缘处的气体流限定在工件边缘处的间隙内，间隙设置为约腔室直径的1％，间隙限定含有前侧的上部工艺区和含有后侧的下部工艺区之间的边界。第一等离子体由聚合物蚀刻前驱气体在下层外部腔室中产生，并将蚀刻剂副产物从第一等离子体腔室引入到下部工艺区。第二等离子体由蚀刻剂副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子体腔室中产生，并将清除剂物种从第二等离子体引入到上部工艺区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆后侧 聚合物 去除 晶圆前侧 清除 等离子体 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种用于从工件后侧去除聚合物的工艺，该工艺包括：在真空腔室中在后侧支撑所述工件，同时使后侧的外围环形部分暴露出；将所述工件边缘处的气流限定在所述工件边缘处的间隙内，该间隙约为腔室直径的1％，所述间隙限定在含有所述前侧的上部工艺区与含有所述后侧的下部工艺区之间的边界；在下层外部腔室中由聚合物蚀刻前驱气体产生第一等离子体，并且将蚀刻副产物从所述第一等离子引入到所述下部工艺区；以及由所述蚀刻副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子腔室产生第二等离子体，并且将净化物种从所述第二等离子体引入到所述上部工艺区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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