[发明专利]晶圆后侧聚合物去除和晶圆前侧清除剂等离子体的工艺

权利要求书

1、一种用于从工件后侧去除聚合物的工艺，该工艺包括：

在真空腔室中在后侧支撑所述工件，同时使后侧的外围环形部分暴露出；

将所述工件边缘处的气流限定在所述工件边缘处的间隙内，该间隙约为腔室直径的1％，所述间隙限定在含有所述前侧的上部工艺区与含有所述后侧的下部工艺区之间的边界；

在下层外部腔室中由聚合物蚀刻前驱气体产生第一等离子体，并且将蚀刻副产物从所述第一等离子引入到所述下部工艺区；以及

由所述蚀刻副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子腔室产生第二等离子体，并且将净化物种从所述第二等离子体引入到所述上部工艺区。

2、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，还包含：

将反应器前侧与顶部之间的所述上部工艺区限定到约为腔室直径的1％的上部工艺区高度。

3、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，还包含：

通过围绕所述上部工艺区的狭缝开口而排空所述上部工艺区。

4、根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，还包含：

通过在所述工件边缘附近的围绕所述下部工艺区的狭缝开口而排空所述下部工艺区。

5、根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述间隙和所述上部工艺区的高度都约为2mm。

6、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述聚合物蚀刻前驱气体包含氧气。

7、根据权利要求6所述的工艺，其特征在于，所述净化剂前驱气体包含氢气或氮气。

8、根据权利要求6所述的工艺，其特征在于，还包含通过将氮气供给到所述下层外部等离子体源而促进在所述第一等离子体中的氧气的分解。

9、根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，还包含：

通过补充氢气而与含氧气体一起提供到上层外部等离子体源中，从工件前侧去除光刻胶。

10、根据权利要求9所述的工艺，其特征在于，所述含氧气体包括H₂O、N₂O、CO中的一种。

11、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述上部工艺区的高度足够小以将气体在所述上部工艺区中的停留时间限制到气体在所述下部工艺区中停留时间的约1％到5％。

12、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述限定步骤通过以下步骤之一实现：(a)限定晶圆边缘和腔室侧壁之间的间隙，(b)限定晶圆边缘和围绕工件的环之间的间隙。

13、根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，还包含：

通过工件后侧下面的轴向管道而限制来自所述第一等离子体的蚀刻副产物的流动。

14、一种用于从工件后侧去除聚合物的工艺，该工艺包括：

在真空腔室中在后侧支撑所述工件，同使后侧的外围环形部分暴露出，所述工件与所述腔室的上部工艺区和下部工艺区之间的边界对应；

通过所述腔室的顶部限定所述工件的前侧，以设置上部工艺区的高度小于所述工件直径的1％；

由聚合物蚀刻前驱气体在外部腔室中产生第一等离子体，并将蚀刻副产物从所述第一等离子体引入到所述下层工艺区；以及

由蚀刻副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子体腔室中产生第二等离子体，并将所述清除剂副产物从所述第二等离子体引入到所述上部工艺区。

15、根据权利要求14所述的工艺，其特征在于，还包含：

通过围绕所述上部工艺区的第一狭缝开口而排空所述上部工艺区。