[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200780101904.1 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101897008A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;工藤智彦 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种解决因三次元半导体的SGT(环绕栅极晶体管)的寄生电阻的增加造成功率消耗的增大以及动作速度的下降，实现SGT的高速化、低功率消耗的半导体器件。本发明的半导体器件，其特征在于，具备：第一硅柱，形成于半导体衬底上；第二硅柱，形成于所述第一硅柱上；第一绝缘体，围绕所述第二硅柱表面的一部分；栅极，围绕所述第一绝缘体；第三硅柱，形成于所述第二硅柱上；第一金属硅化物，围绕所述第一硅柱表面的一部分；以及第二金属硅化物，围绕所述第三硅柱表面的一部分；其中，通过所述第一金属硅化物与所述第一硅柱所形成的接触电阻及通过所述第二金属硅化物与所述第三硅柱所形成的接触电阻分别比所述半导体器件的基准电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：第一硅柱，形成于半导体衬底上；第二硅柱，形成于所述第一硅柱上；第一绝缘体，围绕所述第二硅柱表面的一部分；栅极，围绕所述第一绝缘体；第三硅柱，形成于所述第二硅柱上；第一金属硅化物，围绕所述第一硅柱表面的一部分；以及第二金属硅化物，围绕所述第三硅柱表面的一部分；其中，通过所述第一金属硅化物与所述第一硅柱所形成的接触电阻及通过所述第二金属硅化物与所述第三硅柱所形成的接触电阻分别比所述半导体器件的基准电阻小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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