[发明专利]使用注入杂质将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法无效
| 申请号： | 200780053007.8 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101809732A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | E·B·哈里斯;K·G·斯坦纳 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法。该种用于分离半导体晶片的方法，其中步骤可以包括：将杂质注入半导体晶片的邻近半导体管芯互相连接的连接位置的区域中，杂质被配置为破坏邻近连接位置的半导体晶片中的键合并产生弱化区域。该种用于分离半导体晶片的方法可以进一步包括沿着弱化区域将具有杂质的半导体晶片分离成单个的半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 注入 杂质 半导体 晶片 分离 单个 管芯 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法，包括：将杂质置于半导体晶片的邻近半导体管芯互相连接的连接位置的区域中，所述杂质被配置为破坏邻近所述半导体晶片中所述连接位置的键合并产生弱化区域；以及将具有所述杂质的所述半导体晶片沿着所述弱化区域分离成单个半导体管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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