[发明专利]使用注入杂质将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法

权利要求书

1.一种用于将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法，包括：

将杂质置于半导体晶片的邻近半导体管芯互相连接的连接位置的区域中，所述杂质被配置为破坏邻近所述半导体晶片中所述连接位置的键合并产生弱化区域；以及

将具有所述杂质的所述半导体晶片沿着所述弱化区域分离成单个半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，设置杂质包括将稀有气体离子注入至所述区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，设置杂质包括将氢离子注入至所述区域中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区域具有小于大约5微米的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区域具有小于大约1微米的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述杂质通过抗蚀剂中的开口被置于所述半导体晶片中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述杂质被置于所述半导体晶片中的划道内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，分离所述半导体晶片包括使用机械应力或热应力来分离所述半导体晶片。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述杂质被置于表面中，以及其中进一步地，所述弱化区域大体上垂直于所述表面延伸。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述杂质被置于表面中，以及其中进一步地包括：在注入之后且在分离之前，去除相对表面的一部分。

11.一种制造半导体管芯的方法，包括：

获取半导体晶片；

在所述半导体晶片上或之中形成多个半导体特征；

将杂质置于所述半导体晶片的邻近半导体管芯互相连接的连接位置的区域中，所述杂质被配置为破坏所述半导体晶片中邻近所述连接位置的键合并产生弱化区域；以及

沿着所述弱化区域将具有所述半导体特征和杂质的所述半导体晶片分离成单个的半导体管芯。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，设置杂质包括将稀有气体离子注入至所述区域中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，设置杂质包括将氢离子注入至所述区域中。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述区域具有小于大约5微米的宽度。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述区域具有小于大约1微米的宽度。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述杂质通过抗蚀剂中的开口被置于所述半导体晶片中。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述杂质被置于所述半导体晶片中的划道内。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，分离所述半导体晶片包括使用机械应力或热应力来分离所述半导体晶片。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述杂质被置于表面中，以及其中进一步地，所述弱化区域大体上垂直于所述表面延伸。

20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述杂质被置于表面中，以及进一步地包括：在注入之后且在分离之前，去除相对表面的一部分。