[发明专利]制备应变硅的清洁表面的改善的方法有效
| 申请号： | 200780052699.4 | 申请日： | 2007-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN101657889A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 哈里德·拉德万;亚历山德罗·巴尔达罗 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理晶片的方法，所述晶片包含至少一个硅-锗(SiGe)表面层和与所述SiGe层接触的应变硅(sSi)层，所述sSi层通过对所述SiGe层的蚀刻而被暴露，所述方法包括以下步骤：(a)对所述SiGe层的第一选择性蚀刻，之后进行可选的氧化清洁步骤；(b)利用去离子水的清洗步骤；(c)干燥；和(d)第二选择性蚀刻步骤。本发明涉及一种包含至少一个应变硅(sSi)表面层的晶片，所述sSi表面层具有5nm～100nm的厚度并且具有最多200个缺陷/晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 应变 清洁 表面 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理晶片的方法，所述晶片包含至少一个硅-锗(SiGe)表面层和与所述SiGe层接触的应变硅(sSi)层，所述sSi层通过对所述SiGe层的蚀刻而被暴露，所述方法包括以下步骤：(a)对所述SiGe层的第一选择性蚀刻，之后进行可选的氧化清洁步骤；(b)利用去离子水的清洗步骤；(c)干燥；和(d)第二选择性蚀刻步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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