[发明专利]制备应变硅的清洁表面的改善的方法

权利要求书

1.一种处理晶片的方法，所述晶片包含至少一个硅-锗SiGe表面层 和与所述SiGe表面层接触的应变硅sSi层，所述sSi层通过对所述SiGe 表面层的蚀刻而被暴露，所述方法包括以下步骤：

(a)对所述SiGe表面层的第一选择性蚀刻，之后进行或不进行氧化清 洁步骤；

(b)利用去离子水的清洗步骤；

(c)干燥；和

(d)第二选择性蚀刻步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一选择性蚀刻步骤(a)以 包含乙酸CH₃COOH、过氧化氢H₂O₂和氢氟酸HF的混合物的蚀刻溶液 进行。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在所述第一选择性蚀刻步骤(a) 中的氢氟酸HF浓度为0.05重量％～10重量％，所述第一选择性蚀刻步 骤(a)中的温度为20℃～60℃，所述第一选择性蚀刻步骤(a)的持续时间为 20秒～500秒。

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，在所述第一选择 性蚀刻步骤(a)之后，在17℃～35℃的温度使用以15ppm～50ppm的浓 度溶解在水中的臭氧O₃溶液进行时间为5秒～300秒的氧化清洁步骤。

5.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，在15℃～60℃的 温度以去离子水进行持续时间为5秒～3分钟的所述清洗步骤(b)。

6.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，利用惰性气体流 进行所述干燥步骤(c)。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述惰性气体为氮气或氩气。

8.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，以包含乙酸 CH₃COOH、过氧化氢H₂O₂和氢氟酸HF的混合物的蚀刻溶液进行所述第 二选择性蚀刻步骤(d)。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二选择性蚀刻步骤(d) 中的氢氟酸HF浓度为0.05重量％～10重量％，所述第二选择性蚀刻步 骤(d)中的温度为20℃～60℃，所述第二选择性蚀刻步骤(d)的持续时间为 5秒～40秒。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二选择性蚀刻步骤(d) 的持续时间为10秒～30秒。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二选择性蚀刻步骤(d) 的持续时间为15秒～25秒。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第二选择性蚀刻步骤(d) 的持续时间为约20秒。

13.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，在所述第二选择 性蚀刻步骤(d)之后进行清洗步骤和干燥步骤。

14.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，在所述第二选择 性蚀刻步骤(d)之后进行进一步的氧化清洁步骤(e)。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述第二选择性蚀刻步骤(d) 之后的所述氧化清洁步骤(e)在17℃～35℃的温度使用以15ppm～50ppm 的浓度溶解在水中的臭氧O₃溶液进行5秒～300秒的时间。

16.如权利要求14所述的方法，其中，在所述进一步的氧化步骤(e) 之后进行清洗步骤和干燥步骤。

17.一种通过权利要求1所述的方法获得的包含至少一个应变硅sSi 表面层的晶片，所述sSi表面层的厚度为5nm～100nm，缺陷总和SOD 值SOD0.40μm最多为200个缺陷/晶片。

18.如权利要求17所述的晶片，其中，所述晶片具有约200mm或 约300mm的直径。

19.如权利要求17或18所述的晶片，其中，所述晶片包含绝缘体 上应变硅sSOI结构。