[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200780052222.6 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101636836A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 王文生 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括基板和形成在所述基板上的铁电电容器，所述铁电电容器包括下部电极、形成在所述下部电极上的铁电膜和形成在所述铁电膜上的上部电极，所述上部电极包括：第一层，由化学计量组成使用组成参数x1以化学式AOx1表示且实际的组成使用组成参数x2以化学式AOx2表示的氧化物构成；第二层，形成在所述第一层上，由化学计量组成使用组成参数y1以化学式BOy1表示且实际的组成使用组成参数y2以化学式BOy2表示的氧化物构成；金属层，形成在所述第二层上；所述第二层的氧化比例高于所述第一层的氧化比例，所述组成参数x1、x2、y1和y2间的关系满足y2/y1＞x2/x1，在所述第二层上并在与所述金属层的界面上形成由氧化比例更高的化学计量组成的界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括基板和形成在所述基板上的铁电电容器，其特征在于，所述铁电电容器包括下部电极、形成在所述下部电极上的铁电膜和形成在所述铁电膜上的上部电极，所述上部电极包括：第一层，由化学计量组成使用组成参数x1以化学式AOx1表示且实际的组成使用组成参数x2以化学式AOx2表示的氧化物构成；第二层，形成在所述第一层上，由化学计量组成使用组成参数y1以化学式BOy1表示且实际的组成使用组成参数y2以化学式BOy2表示的氧化物构成；金属层，形成在所述第二层上；所述第二层的氧化比例高于所述第一层的氧化比例，所述组成参数x1、x2、y1和y2间的关系满足：y2/y1＞x2/x1在所述第二层上并在与所述金属层的界面上形成有氧化比例更高的化学计量组成的界面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
