[发明专利]半导体存储器件及其制造方法、封装树脂形成方法有效
| 申请号： | 200780051751.4 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101617399A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 永井孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/56;H01L21/312;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体存储器件及其制造方法、封装树脂形成方法。本发明的铁电电容器具有：晶体管层，其形成在半导体衬底上；铁电电容器层，其形成在晶体管层的上方；配线层，其形成在铁电电容器层的上方；以及钝化膜。该铁电电容器的特征在于，在铁电电容器层和钝化膜之间，形成有至少一层阻挡膜，该阻挡膜用于抑制水分以及氢向下层渗透，钝化膜含有酚醛清漆树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 封装 树脂 形成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于，具有：晶体管层，其形成在半导体衬底上，铁电电容器层，其形成在上述晶体管层的上方，配线层，其形成在上述铁电电容器层的上方，钝化膜；在上述铁电电容器层和上述钝化膜之间，形成有至少一层阻挡膜，该阻挡膜用于抑制水分以及氢向下层渗透，上述钝化膜含有酚醛清漆树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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