[发明专利]半导体存储器件及其制造方法、封装树脂形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，具有：

晶体管层，其形成在半导体衬底上，

铁电电容器层，其形成在上述晶体管层的上方，

配线层，其形成在上述铁电电容器层的上方，

钝化膜；

在上述铁电电容器层和上述钝化膜之间，形成有至少一层阻挡膜，该阻挡膜用于抑制水分以及氢向下层渗透，上述钝化膜含有酚醛清漆树脂；

上述半导体存储器件还具有氧阻挡膜，该氧阻挡膜覆盖含有上述酚醛清漆树脂的钝化膜，用于抑制氧向下层渗透。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

还具有焊盘电极，该焊盘电极用于将上述配线层连接至外部电路，

含有上述酚醛清漆树脂的钝化膜未形成在上述焊盘电极上的开口区域。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，

还具有覆盖上述焊盘电极的金属保护膜。

4.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，

在上述焊盘电极上还具有金属凸块。

5.如权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述金属保护膜形成在铁电电容器部、逻辑电路部以及周边电路部的各区域中的至少一个区域的上方。

6.如权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述金属保护膜配置在上述焊盘电极上所形成的除了切边区域以外的所有区域，所述切边区域是指，从上述钝化膜的开口部起以规定宽度对上述开口部进行了切边的区域。

7.如权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述金属保护膜是由两种以上的膜构成的层叠金属膜。

8.如权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述层叠金属膜中的一种膜为钯膜。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述阻挡膜是含有AlxOy、TiOx、ZrOx、MgOx以及MgTiOx中的任意一种以上物质的膜，其中，x为正整数。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述AlxOy为Al₂O₃，上述TiOx为TiO₂。

11.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述阻挡膜是在铁电电容器和酚醛清漆树脂之间的区域以20nm以上的膜厚所形成的平坦的膜。

12.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述氧阻挡膜是含有SION、SIN、AlxOy、TiOx、ZrOx、MgOx、MgTiOx中的任意一种以上物质的膜，其中，x以及y为正整数。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述AlxOy为Al₂O₃，上述TiOx为TiO₂。

14.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述氧阻挡膜至少具有20nm以上的膜厚。

15.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述酚醛清漆树脂是在非活性气体环境中以从摄氏170度到190度为止的范围内的固化温度进行40分钟的热处理而形成的。

16.如权利要求15所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述非活性气体环境是氮气环境。