[发明专利]新型硅倍半氧烷填料的制备方法无效
| 申请号： | 200780050301.3 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101589050A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | L·H·伍德 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王 健 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了制备高表面积甲基硅倍半氧烷树脂颗粒的方法。通过甲基三氯硅烷的水解和缩合，然后分离和干燥，从而形成该颗粒。通过该方法，将副产物和废物转化为商业上有价值的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 硅倍半氧烷 填料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.由甲基三氯硅烷制备具有大表面积的颗粒的方法，包括：使甲基三氯硅烷与含水HCl反应以形成液相和固相；从该液相分离该固相；和干燥该固相以形成具有高表面积的颗粒。
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