[发明专利]新型硅倍半氧烷填料的制备方法无效
| 申请号： | 200780050301.3 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101589050A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | L·H·伍德 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王 健 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 硅倍半氧烷 填料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.由甲基三氯硅烷制备具有大表面积的颗粒的方法，包括：
使甲基三氯硅烷与含水HCl反应以形成液相和固相；
从该液相分离该固相；和
干燥该固相以形成具有高表面积的颗粒。
2.权利要求1所述的方法，其中该含水HCl的浓度大于30wt.％。
3.权利要求2所述的方法，其中该含水HCl的浓度大于35wt.％。
4.权利要求3所述的方法，其中该HCl的浓度为约37wt.％。
5.权利要求1所述的方法，其中对该固相进行操作以减小颗粒的尺 寸。
6.权利要求1所述的方法，其中通过在搅拌反应物的同时将该甲基 三氯硅烷加入含水HCl的溶液，从而使甲基三氯硅烷与该含水HCl反应。
7.权利要求1所述的方法，其中通过使甲基三氯硅烷经过该含水 HCl冒泡来使该甲基三氯硅烷与该含水HCl反应。
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