[发明专利]形成防反射膜的组合物和使用该组合物的图案形成方法有效
| 申请号： | 200780047992.1 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101568991A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 仓本胜利;小林政一;秋山靖 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(日本)株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成顶部抗反射涂层的组合物，其具有如此低的折射率，以使其可以适用于在ArF准分子激光束下形成图案，而且本发明还提供使用该组合物形成图案的方法。顶部抗反射涂层组合物包含特定的萘化合物、聚合物和溶剂。组合物用于形成光致抗蚀层上的顶部抗反射涂层。通过光致抗蚀层，用160～260nm的光可以形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 反射 组合 使用 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种顶部抗反射涂层组合物，用于在光致抗蚀层上形成顶部抗反射涂层，该光致抗蚀层通过用160～260nm的波长范围的光形成图案，该组合物包含萘化合物、聚合物和溶剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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