[发明专利]形成防反射膜的组合物和使用该组合物的图案形成方法有效
申请号: | 200780047992.1 | 申请日: | 2007-12-21 |
公开(公告)号: | CN101568991A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 仓本胜利;小林政一;秋山靖 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(日本)株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/11 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 反射 组合 使用 图案 方法 | ||
1.一种顶部抗反射涂层组合物,用于在光致抗蚀层上形成顶 部抗反射涂层,该光致抗蚀层通过用160~260nm的波长范围的光 形成图案,该组合物包含萘化合物、聚合物和能溶解所述萘化合 物和所述聚合物的溶剂,
其中所述萘化合物用通式(I)表示:
其中R1~R8中的每一个独立地选自:
-H,
-(CH2)n1OH,
-(CH2)n2COOH,
-(CH2)n2NH2,
-(CH2)n2COONH2,
-(CH2)n2SO3H,和
-(CH2)n2SO2NH2,
其中n1是1~4的整数,n2是0~4的整数,
并且,所述聚合物是包含下列通式(II)表示的重复单元的氟 化聚合物或者是包含通式(II)的重复单元和另一个由下列通式(III) 表示的重复单元的氟化聚合物:
-[CF2CF(ORfCOOH)]-(II)
其中Rf是非强制性含有醚氧原子的直链或支链全氟烷基,
-[CF2CFX]-(III)
其中X是氟原子或氯原子。
2.依据权利要求1的顶部抗反射涂层组合物,其中所述光 是ArF准分子激光束。
3.依据权利要求1的顶部抗反射涂层组合物,其中所述溶 剂是水或能溶解所述萘化合物和所述聚合物的有机溶剂。
4.一种形成图案的方法,包含:
在基板上施覆抗蚀剂组合物,进行预焙烧,去除含在所述抗 蚀剂组合物中的溶剂以形成抗蚀层,
用权利要求1中定义的顶部抗反射涂层组合物涂布该抗蚀 层;而后干燥该顶部抗反射涂层组合物,
用160~260nm的光成像曝光该抗蚀层,和
显影该曝光的抗蚀层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造