[发明专利]具有降低的应变的发光层的Ⅲ族氮化物发光器件有效
| 申请号： | 200780047468.4 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101601140A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | S·伊;A·J·F·戴维;N·F·加德纳;M·R·克拉梅斯;L·T·罗马诺 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的实施例，通过在III族氮化物器件中包括应变减轻层来降低该III族氮化物器件的发光层中的应变。在其上生长该应变减轻层的表面被配置为使得该应变减轻层可以横向膨胀并且至少部分地松弛。在本发明的一些实施例中，应变减轻层生长在纹理化半导体层或掩膜层上。在本发明的一些实施例中，应变减轻层是一组半导体材料的柱形物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 应变 发光 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：III族氮化物半导体结构，其包括：布置在n型区11和p型区13之间的发光层12；和布置在发光层的1000埃之内的纹理化表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780047468.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压电陶瓷多层执行器及其制造方法
- 下一篇：声音测试方法
