[发明专利]具有降低的应变的发光层的Ⅲ族氮化物发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

III族氮化物半导体结构，其包括：

布置在n型区域(11，14)和p型区域(13，18)之间的发光 层(12，17)；和

n型区域(11，14)的纹理化顶表面，用于允许发光层(12， 17)具有比n型区域(11，14)的面内晶格常数a₁大的面内晶格常数a₂，

其中纹理化顶表面布置在距离发光层(12，17)1000埃的范 围内。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述发光层(12)与所述纹 理化顶表面相邻。

3.如权利要求1所述的发光器件，其中n型层(21)布置在所述纹理 化顶表面和发光层(12)之间。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述纹理化顶表面包括通过 平版印刷术形成在III族氮化物层上的特征，使得这些特征具有波峰由 波谷隔开的截面外形。

5.如权利要求4所述的发光器件，其中两个相邻波峰之间的最大横 向范围小于200nm。

6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述纹理化顶表面包括布置 在所述III族氮化物半导体结构内的绝缘材料(15)的层，其中多个开 口(16)被布置在该绝缘材料中。

7.如权利要求6所述的发光器件，其中绝缘材料(15)包括至少一 种硅氮化物。

8.如权利要求6所述的发光器件，其中所述开口(16)之一的最大 横向范围小于200nm。

9.如权利要求6所述的发光器件，其中所述开口之一的最大横向范 围小于100nm。

10.如权利要求1所述的发光器件，其中：

发光层(12)具有体晶格常数，其对应于与发光层相同的成分的 自支撑材料的晶格常数；

该发光层具有面内晶格常数a₂，其对应于生长在所述III族氮化物半 导体结构中的发光层的晶格常数；并且

对于该发光层(12)，(该面内晶格常数-该体晶格常数)/该 体晶格常数小于1％。

11.一种发光器件，包括：

具有多个开口的掩模层(24)；

III族氮化物结构，包括：

多个对应于该掩模层中的开口的半导体材料的柱形物(26)， 其中该多个柱形物由绝缘材料(40)隔开，并且其中该多个柱形 物在与该掩模层的表面平行的平面中的截面的至少90％被柱形物 占据；

布置在n型区域和p型区域之间的发光层。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中每个柱形物(26)具有 小于150nm的直径。

13.如权利要求11所述的发光器件，其中发光层(28)被布置在 所述柱形物内。

14.如权利要求11所述的发光器件，其中所述柱形物是截顶多面 体。

15.如权利要求11所述的发光器件，其中所述柱形物是多面体( 82)。