[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780047412.9 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101573804A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置有负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。
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