[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层上设置有负极，在该p型半导体层上设置有正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其特征在于，氧化物材料是选自ITO、IZO、AZO和ZnO中的至少一种。

3.一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在基板上依次成膜出由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在成膜出的n型半导体层上形成负极，在成膜出的p型半导体层上形成由具有导电性和透光性的氧化物材料构成的正极，从而制造氮化镓系化合物半导体发光元件时，包括：在正极的形成工序之后，使p型半导体层的表面产生含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层的工序。

4.根据权利要求3所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使p型半导体层的表面产生含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层的工序，是在300℃以上的温度下的热处理。

5.根据权利要求4所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在含氧气氛下进行热处理。

6.一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在基板上依次成膜出由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在成膜出的n型半导体层上形成负极，在成膜出的p型半导体层上形成由具有导电性和透光性的氧化物材料构成的正极，从而制造氮化镓系化合物半导体发光元件时，包括：在p型半导体层的成膜工序之后、正极的形成工序之前，使p型半导体层的表面产生含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层的工序。

7.根据权利要求6所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使p型半导体层的表面产生含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层的工序包括：在不含氨的气氛下，在700℃以上的温度进行1分钟以上的热处理，在热处理中或热处理后暴露于含氧气氛中。

8.根据权利要求7所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，热处理进行5分钟以上。

9.根据权利要求6所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使p型半导体层的表面产生含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层的工序，是p型半导体层成膜后的降温过程，包括：在载气由氢气以外的气体构成，且不导入氨的气氛下降温，其后暴露于含氧气氛中。

10.一种灯，其含有权利要求1或2所述的氮化镓系化合物半导体发光元件。

11.一种电子设备，其装有权利要求10所述的灯。

12.一种机械装置，其装有权利要求11所述的电子设备。