[发明专利]形成多层膜的方法及装置无效
| 申请号： | 200780046756.8 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101563478A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 木村勳;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/34;H01L41/187;H01L41/22 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置，其提高了由铅基钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性。所述多层薄膜形成方法包括：通过溅射下部电极层靶材(TG2)，在基片(S)上形成包含贵重金属的下部电极层(32b)；以及通过溅射包括铅的氧化物层靶材(TG3)，在所述下部电极层(32b)上叠置铅基复合氧化物层(33)。所述下部电极层(32b)的厚度限制为10到30nm，并且所述铅基复合氧化物层(33)的厚度限制为0.2到5.0μm。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多层 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种形成多层膜的多层膜形成方法，所述多层膜包括电极层和铅基钙钛矿复合氧化物层，所述方法包括：通过溅射包含贵重金属的第一靶材，在基片上形成所述电极层；通过溅射包含铅的第二靶材，在所述电极层上叠置所述铅基钙钛矿复合氧化物层；其中，所述形成电极层包括形成厚度为10nm到30nm的所述电极层。
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