[发明专利]形成多层膜的方法及装置

权利要求书

1、一种形成多层膜的多层膜形成方法，所述多层膜包括电极层和铅基钙钛矿复合氧化物层，所述方法包括：

通过溅射包含贵重金属的第一靶材，在基片上形成所述电极层；

通过溅射包含铅的第二靶材，在所述电极层上叠置所述铅基钙钛矿复合氧化物层；

其中，所述形成电极层包括形成厚度为10nm到30nm的所述电极层。

2、如权利要求1所述的多层膜形成方法，其中所述叠置铅基钙钛矿复合氧化物层包括叠置厚度为0.2μm到5.0μm的所述铅基钙钛矿复合氧化物层。

3、如权利要求1或2所述的多层膜形成方法，其中：

所述形成电极层包括：

将所述基片加热到500℃或更高；以及

溅射主要成分为铂的靶材，以在所述被加热的基片上形成厚度为10nm到30nm的所述电极层，并且

所述叠置铅基钙钛矿复合氧化物层包括：

溅射主要成分为锆钛酸铅的靶材，以在所述电极层上形成厚度为0.2μm到5.0μm的所述铅基钙钛矿复合氧化物层。

4、一种多层膜形成装置，包括：

第一成膜单元，其包括包含贵重金属的第一靶材，并溅射所述第一靶材以在基片上形成电极层；

第二成膜单元，其包括包含铅的第二靶材，并溅射所述第二靶材以在所述电极层上形成铅基钙钛矿复合氧化物层；

连接至所述第一成膜单元和第二成膜单元的搬送单元，其将所述基片搬送到所述第一成膜单元和第二成膜单元；以及

驱动所述搬送单元、第一成膜单元和第二成膜单元的控制单元，其中所述控制单元驱动所述第一成膜单元，以在所述基片上形成厚度为10nm到30nm的所述电极层。

5、如权利要求4所述的多层膜形成装置，其中所述控制单元驱动所述第二成膜单元，以在所述电极层上叠置厚度为0.2μm到5.0μm的所述铅基钙钛矿复合氧化物层。

6、如权利要求4或5所述的多层膜形成装置，其特征在于：

所述第一靶材的主要成分为铂；

所述第二靶材的主要成分为锆钛酸铅；以及

所述控制单元驱动所述第一成膜单元，以在所述被加热到500℃或更高温度的基片上形成主要成分为铂、厚度为10nm到30nm的所述电极层，并驱动所述第二成膜单元，以在所述电极层上叠置主要成分为锆钛酸铅、厚度为0.2μm到5.0μm的所述铅基钙钛矿复合氧化物层。