[发明专利]具有掩埋的次收集器以减少图像传感器中的串扰的两个外延层有效
| 申请号： | 200780045848.4 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101558496A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | J·P·拉文;E·G·斯蒂芬斯 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王 岳;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种图像传感器，包括：第一导电类型的衬底(10)，所述第一导电类型的衬底具有带有多个感光位置(70)的图像区域，其中响应于光而生成的电荷的一部分被收集在该像素中；和跨越收集所生成的电荷的另一部分的图像区域的第二导电的次收集器(40)，所述所生成的电荷的另一部分否则将扩散到相邻感光位置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 收集 减少 图像传感器 中的 两个 外延 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：(a)具有图像区域的第一导电类型的衬底，所述图像区域具有多个感光位置，其中在所述感光位置收集响应于光而生成的电荷的一部分；和(b)横跨图像区域的第二导电性的次收集器，其收集所生成的电荷的另一部分，否则所生成的电荷的另一部分会扩散到相邻的感光位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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