[发明专利]具有掩埋的次收集器以减少图像传感器中的串扰的两个外延层有效
| 申请号: | 200780045848.4 | 申请日: | 2007-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN101558496A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
| 发明(设计)人: | J·P·拉文;E·G·斯蒂芬斯 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;王忠忠 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 掩埋 收集 减少 图像传感器 中的 两个 外延 | ||
1.一种图像传感器,包括:
(a)第一导电类型的衬底;
(b)设置在所述衬底上的第一导电类型的第一外延层;
(c)设置在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层,其中所述第二外延层包括具有多个感光位置的图像区域;
(d)第一外延层中的第二导电类型的次收集器,其中所述次收集器位于比所述多个感光位置更深的深度,其中在所述感光位置收集响应于光而生成的电荷的一部分,在次收集器收集所生成的电荷的另一部分;和
(e)第一外延层中以及与第一外延层相邻的第二外延层的部分中的第二导电类型的一个或多个接触,其中所述一个或多个接触连接到第一外延层中的次收集器。
2.如权利要求1中所述的图像传感器,其中所述图像传感器是有源像素传感器。
3.如权利要求1中所述的图像传感器,进一步包括第二外延层中连接到相应接触的一个或多个顶部注入。
4.如权利要求1中所述的图像传感器,进一步包括衬底中连接到次收集器的一个或多个背部通孔。
5.一种用于制造图像传感器的方法,该方法包含步骤:
(a)提供具有第一外延层的衬底;
(b)在第一外延层中注入次收集器;
(c)在第一外延层中形成连接到所述次收集器的一个或多个接触;
(d)在第一外延层上生长第二外延层;和
(e)在第二外延层注入多个感光位置。
6.如权利要求5中所述的方法,进一步包括步骤:
(f)扩散一个或多个接触,使得每个接触的一部分扩散到第二外延层中;
(g)在第一外延层中注入一个或多个顶部注入,以与扩散到第二外延层中的接触的相应部分接触。
7.如权利要求5中所述的方法,进一步包括在在衬底中形成一个或多个背部通孔以与第一外延层中的相应接触连接的步骤。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





