[发明专利]干式光阻剥除方法及设备无效
| 申请号： | 200780044112.5 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101542693A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 塞奥-米·乔;马耶德·A·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;B05D3/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;王金宝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种从一基材剥除光阻的处理方法。本发明也提出一种将一掺杂物注入一膜堆栈的一层中、剥除该经注入的膜堆栈以及退火处理该经剥除的膜堆栈的处理系统。当将高浓度的掺杂物注入一光阻层时，会在该光阻层表面上形成一不易移除的外壳层。本发明所述的方法可有效地移除表面具有上述的外壳层的光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 干式光阻 剥除 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种光阻剥除方法，其至少包含：将一其上具有一光阻层的基材置于一剥除室中；在一远程等离子体源中由氟气与氧气的至少一个以及氢气形成一等离子体；将来自该远程等离子体源的等离子体与水蒸气导入该室中；以及从该基材剥除该光阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780044112.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
