[发明专利]干式光阻剥除方法及设备

说明书

技术领域

本发明的实施例大致是涉及从基材(substrate)剥除光阻的方法与实施该方法的设备。本发明的实施例也涉及注入离子与剥除光阻的系统。

背景技术

集成电路可包括超过一百万个微电子场效晶体管(例如，互补式金氧半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)场效晶体管)形成在一基材(例如，半导体晶片)上并合作在电路中执行不同功能。电路制造中，光阻胶(photoresist)可经沉积、曝光与显影以产生一掩膜(mask)来蚀刻下层。

为了产生集成电路，须将离子注入集成电路的不同部分。离子注入过程中，晶片受到一束带电离子(称为掺杂物)的轰击。注入可改变注入掺杂物的材料的特性，主要是用来达成特定的电子性能。这些掺杂物是经加速至可允许它们穿透(即，注入)该膜至所需的深度的能量。注入过程中，离子可注入光阻层中并导致坚硬、外壳状(crust-like)层形成于光阻胶的表面。利用传统的去胶工艺(stripping process)难以移除该外壳层。再者，若未移除外壳层或下层光阻胶的话，残余的阻胶在接下来的工艺步骤会成为污染物。

因此，需要剥除(strip)光阻的改良方法。

发明内容

本发明大致上包括一从基材剥除光阻的处理方法。本发明也包括将掺杂物注入集成电路并接着在注入步骤中剥除存在的光阻的处理系统。可藉由将光阻暴露在水蒸气、以及氟气与氧气中至少一个和氢气的等离子体形式而有效地剥除光阻与外壳(若有的话)。接着可执行退火。藉由在相同的处理系统中进行注入、剥除与退火，可减少氧化作用并提高基材产量。因为注入室内可能残留一部分的掺杂物且该掺杂物可用于接下来的光阻注入而提高基材产量。残留在注入室内的那部分掺杂物可减少执行下一基材注入所需的时间。

一实施例中，光阻剥除方法包括将其上具有光阻层的一基材置于腔室内；在远程等离子体源中从氟气与氧气中至少一个以及氢气而形成一等离子体；将来自远程等离子体源的等离子体与水蒸气导入腔室内；并从基材上剥除光阻。

另一实施例中，光阻剥除方法包括将一基材置于处理室中，该基材其上具有一光阻层；将一或更多离子注入位于该光阻与该基材之间的一层；该注入在该光阻层的至少一部分中形成一外壳层；在一远程等离子体源中点燃(igniting)一等离子体并将该外壳层暴露于等离子体中；暴露该外壳层于水蒸气中；并移除该外壳层与光阻层。

另一实施例中，提供在相同的处理系统中注入、剥除与退火的处理系统。处理系统的一处理室是适以执行剥除处理，该剥除处理包括将光阻暴露于水蒸气与一等离子体(由氟气与氧气中至少一个以及氢气所形成)。比起传统工艺较有利的是，可减少基材的氧化并提高基材的产量。

另一实施例中，提出一种注入的处理系统，该系统包括一传送室；一注入室，耦接至该传送室；一剥除室，耦接至该传送室；一退火室，耦接至该传送室；一工厂接合部(factory interface)，耦接至该传送室；以及一或更多个前开式整合盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)，耦接至工厂接合部。

附图说明

为了详细地了解本发明上述的特征，本发明更明确的描述(简短地总结于上)可参照许多实施例(某些描述于附图中)。然而，由于本发明容许其它等效的实施例，可以理解附图仅描述本发明的典型实施例且因此不应视为本发明范围的限制。

图1是根据本发明的一实施例的剥除室的剖面图。

图2是具有外壳层形成于其上的一结构的剖面图。

图3是根据本发明的一实施例的剥除处理流程图。

图4是根据本发明的处理系统的概略平面图。

图5是可执行在图4中根据本发明的系统的不同处理的流程图。

为了加速理解，可使用相同的附图标记代表图式共有的相同组件。可以理解可有利地将一实施例的组件与特征并入其它实施例中而不需进一步列举。

然而，需要注意附图仅描述本发明的示范性实施例，由于本发明容许其它等效的实施例，因此不视为对本发明的范围的限制。

【主要附图标记说明】

100 反应室            102 处理室

104 基材底座          106 远程等离子体源

108 控制器            110 第一部分

112 第二部分          114 真空泵

116 侧壁              118 盖件