[发明专利]多层陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 200780044033.4 申请日: 2007-11-29
公开(公告)号: CN101542658A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 山崎洋一;大铃英之;藤冈芳博;福田大辅 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;C04B35/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱 丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够抑制在高温负载试验中伴随时间变化而发生的绝缘电阻的降低、进而在制造工序中即使没有设置再氧化处理的工序也具有高绝缘性的多层陶瓷电容器。本发明的多层陶瓷电容器是交替层叠由电介质陶瓷构成的电介质层和内部电极层而形成的,构成所述电介质陶瓷的结晶包含以钛酸钡为主要成分且Ca浓度为0.2原子%以下的晶粒形成的第1结晶组和Ca浓度为0.4原子%以上的晶粒形成的第2结晶组,构成所述第1结晶组的晶粒的表层部的镁及稀土元素的各浓度(C1)与构成第1结晶组的晶粒(9a)的中央部中含有的镁及稀土元素的各浓度(C2)的比(C2/C1)分别大于构成第2结晶组的晶粒(9b)中的同浓度的比(C4/C3),而且,在将所述第1结晶组的晶粒的面积比例设为a、将所述第2结晶组的晶粒的比例设为b时,b/(a+b)比为0.5~0.8。
搜索关键词: 多层 陶瓷 电容器
【主权项】:
1.一种多层陶瓷电容器,其中,所述多层陶瓷电容器是交替层叠由电介质陶瓷构成的电介质层和内部电极层而形成的,其中所述电介质陶瓷以钛酸钡为主要成分,含有钙、镁、钒及锰和选自镝、钬、铒及钇中的任意一种稀土元素,其特征在于,构成所述电介质陶瓷的结晶包含:由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为0.2原子%以下的晶粒形成的第1结晶组;和由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为0.4原子%以上的晶粒形成的第2结晶组,构成所述第1结晶组的晶粒的表层部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C1)与构成所述第1结晶组的晶粒的中央部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C2)的比(C2/C1)分别大于构成所述第2结晶组的晶粒的表层部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C3)与构成所述第2结晶组的晶粒的中央部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C4)的比(C4/C3),而且,在研磨所述电介质陶瓷的表面后的研磨面中,在将构成所述第1结晶组的晶粒所占的面积设为a、将构成所述第2结晶组的晶粒所占的面积设为b时,b/(a+b)为0.5~0.8。
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