[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，其中，

所述多层陶瓷电容器是交替层叠由电介质陶瓷构成的电介质层和内部电极层而形成的，其中所述电介质陶瓷以钛酸钡为主要成分，含有钙、镁、钒及锰和选自镝、钬、铒及钇中的任意一种稀土元素，其特征在于，

构成所述电介质陶瓷的结晶包含：由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为0.2原子％以下的晶粒形成的第1结晶组；和由以所述钛酸钡为主要成分且所述钙的浓度为0.4原子％以上的晶粒形成的第2结晶组，

构成所述第1结晶组的晶粒的中央部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C2)与构成所述第1结晶组的晶粒的表层部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C1)的比(C2/C1)分别大于构成所述第2结晶组的晶粒的中央部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C4)与构成所述第2结晶组的晶粒的表层部中含有的所述镁及所述稀土元素的各浓度(C3)的比(C4/C3)，

而且，在研磨所述电介质陶瓷的表面后的研磨面中，在将构成所述第1结晶组的晶粒所占的面积设为a、将构成所述第2结晶组的晶粒所占的面积设为b时，b/(a+b)为0.5～0.8。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在所述电介质陶瓷中还含有锆。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在所述电介质陶瓷中还含有锆，且相对于构成所述第1结晶组的晶粒及构成所述第2结晶组的晶粒中含有的钡的氧化物BaO、钙的氧化物CaO及钛的氧化物TiO₂的总量100摩尔份，该锆的含量以ZrO₂换算为0.2～1摩尔份。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在将构成所述第1结晶组及所述第2结晶组的晶粒的平均粒径设为x、将所述晶粒的粒径的标准偏差设为σ时的变动系数(x/σ)×100(％)为40％以下。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

构成所述第1结晶组的晶粒的平均结晶粒径大于构成所述第2结晶组的晶粒的平均结晶粒径。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在所述电介质陶瓷中，相对于构成所述钛酸钡的钛100摩尔，含有以MgO换算为0.5～1摩尔的所述镁，含有以RE₂O₃换算为0.5～1摩尔的所述稀土元素(RE)，含有以MnO换算为0.1～0.3摩尔的所述锰，且含有以V₂O₅换算为0.1～0.4摩尔的所述钒，同时，构成所述第1结晶组的晶粒的平均结晶粒径大于构成所述第2结晶组的晶粒的平均结晶粒径。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在所述电介质陶瓷中，相对于构成所述钛酸钡的钛100摩尔，含有以MgO换算为0.5～1摩尔的所述镁，含有以RE₂O₃换算为0.5～1摩尔的所述稀土元素(RE)，含有以MnO换算为0.1～0.3摩尔的所述锰，且含有以V₂O₅换算为0.1～0.4摩尔的所述钒，在所述电介质陶瓷中还含有锆，且相对于构成所述第1结晶组的晶粒及构成所述第2结晶组的晶粒中含有的钡的氧化物BaO、钙的氧化物CaO及钛的氧化物TiO₂的总量100摩尔份，该锆的含量以ZrO₂换算为0.2～1摩尔份。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

在所述电介质陶瓷中，相对于构成所述钛酸钡的钛100摩尔，含有以MgO换算为0.5～1摩尔的所述镁，含有以RE₂O₃换算为0.5～1摩尔的所述稀土元素(RE)，含有以MnO换算为0.1～0.3摩尔的所述锰，且含有以V₂O₅换算为0.1～0.4摩尔的所述钒，在将构成所述第1结晶组及所述第2结晶组的晶粒的平均粒径设为x、将所述晶粒的粒径的标准偏差设为σ时的变动系数(x/σ)×100(％)为40％以下。