[发明专利]蚀刻图案层以在其中形成交错高度的方法和中间半导体装置结构无效
| 申请号： | 200780041989.9 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101536160A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 戴维·H·韦尔斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在中间半导体装置结构的图案层中形成交错高度的方法。所述方法包含：提供包含图案层和第一掩模层的中间半导体装置结构；在所述图案层中形成第一开口；形成邻近于所述图案层的被蚀刻部分的间隔物以减小所述第一开口的宽度；蚀刻所述图案层以增加所述第一开口的深度；以及在所述图案层中形成第二开口。还揭示一种在包括形成于多个掩模层上的间隔物的所述图案层中形成交错高度的方法。还揭示中间半导体装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 图案 其中 形成 交错 高度 方法 中间 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种在图案层中形成交错高度的方法，其包含：在图案层中蚀刻第一开口；形成邻近于所述图案层的被蚀刻部分的间隔物以减小所述第一开口的宽度；蚀刻所述图案层以增加所述第一开口的深度；以及在所述图案层中蚀刻第二开口。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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