[发明专利]蚀刻图案层以在其中形成交错高度的方法和中间半导体装置结构

权利要求书

1.一种在图案层中形成交错高度的方法，其包含：

在图案层中蚀刻第一开口；

形成邻近于所述图案层的被蚀刻部分的间隔物以减小所述第一开口的宽度；

蚀刻所述图案层以增加所述第一开口的深度；以及

在所述图案层中蚀刻第二开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在图案层中蚀刻第一开口包含：在所述图案层的暴露部分中形成所述第一开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述图案层以增加所述第一开口的深度包含：将所述第一开口形成为具有大于所述第二开口的深度的深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述图案层以增加所述第一开口的深度包含：蚀刻所述图案层的位于邻近对间隔物之间的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述图案层中蚀刻第二开口包含：在所述第一开口保持实质上未被填充的同时形成所述第二开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述图案层中蚀刻第二开口包含：在所述图案层的位于一对间隔物之间的部分中形成所述第二开口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在图案层中蚀刻第一开口以及在所述图案层中蚀刻第二开口包含：使用单个光刻动作形成所述第一开口和所述第二开口。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成邻近于所述图案层的被蚀刻部分的间隔物以减小所述第一开口的宽度包含：进行两个或两个以上间隔物蚀刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：实质上同时用介电材料填充所述第一开口和所述第二开口。

10.一种在图案层中形成交错高度的方法，其包含：

处理图案层以形成包含所述图案层、第一掩模层和第二掩模层的中间半导体装置结构，所述第一掩模层上覆于所述第二掩模层的若干部分，且所述第二掩模层上覆于所述图案层的若干部分；

在所述第一掩模层和所述第二掩模层中蚀刻至少一个第一开口，其中所述至少一个第一开口在所述第一掩模层中比在所述第二掩模层中具有更大的宽度；

形成邻近于所述第一掩模层的被蚀刻部分的第一间隔物以减小所述第一掩模层中的所述至少一个第一开口的所述宽度；

形成邻近于所述第二掩模层的被蚀刻部分的第二间隔物以实质上填充所述第二掩模层中的所述至少一个第一开口；

在所述图案层的下伏于所述第一掩模层的部分中蚀刻至少一个第二开口；

增加所述图案层中的所述至少一个第二开口的深度；以及

在所述图案层的暴露在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间的部分中蚀刻至少一个第三开口。

11.根据权利要求10所述的方法，其中处理图案层以形成包含所述图案层、第一掩模层和第二掩模层的中间半导体装置结构包含：提供由硅形成的图案层、由非晶碳形成的第一掩模层，和由多晶硅或氮氧化硅形成的第二掩模层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中处理图案层以形成包含所述图案层、第一掩模层和第二掩模层的中间半导体装置结构包含：提供由硅形成的图案层、由氧化硅形成的第一掩模层，和由多晶硅形成的第二掩模层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中形成邻近于所述第一掩模层的被蚀刻部分的第一间隔物以减小所述第一掩模层中的所述至少一个第一开口的所述宽度包含：形成邻近于所述第一掩模层的被蚀刻部分且在所述第二掩模层的若干部分上的所述第一间隔物。

14.根据权利要求10所述的方法，其中形成邻近于所述第二掩模层的被蚀刻部分的第二间隔物以实质上填充所述第二掩模层中的所述至少一个第一开口包含：形成邻近于所述第二掩模层的被蚀刻部分且在所述图案层的若干部分上的所述第二间隔物。

15.根据权利要求10所述的方法，其中增加所述至少一个第二开口的所述深度且在所述图案层的暴露在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间的部分中蚀刻至少一个第三开口包含：在所述图案层中形成第一组沟槽和第二组沟槽。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述图案层中形成第一组沟槽和第二组沟槽包含：形成具有不同深度的所述第一组沟槽和所述第二组沟槽。