[发明专利]静电放电保护器件以及用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的方法有效
| 申请号： | 200780041846.8 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101584045A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | A·萨曼;S·毕比 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的器件及方法。一种静电放电保护器件(100)包括硅衬底(104)、设置于该硅衬底内的P+型阳极区(116)、以及与该P+型阳极区串联而设置于该硅衬底内的第一N阱器件区(120)。第一P阱器件区(122)与该第一N阱器件区串联而设置于该硅衬底内，且N+型阴极(118)区设置于该硅衬底内。栅电极(114)至少覆于该硅衬底的该第一N阱器件区及该第一P阱器件区上。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 器件 以及 用于 半导体器件 不受 事件 损害 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于保护半导体结构的输入端不受静电放电事件损害的方法，该方法包括下列步骤：提供串联耦合至输入端的第一二极管(130)及第二二极管(132)；正向偏压该第一二极管及该第二二极管；以及当静电放电事件发生时，短路该第一二极管及该第二二极管的其中一个二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
