[发明专利]具有增大的EUV光透光率的EUV膜结构有效
| 申请号： | 200780041790.6 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101583906A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | O·R·伍德二世;K·永-韩;T·瓦洛 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 依照一个例示实施例，一种用来保护光刻掩膜(lithographicmask)(104)的超紫外线(extreme ultraviolet，EUV)膜结构(pellicle)(106)包含气凝胶(aerogel)膜(122)。所述膜结构复包含用来装设气凝胶膜于光刻掩膜之上的框架(frame)(124)。所述气凝胶膜造成所述膜结构具有增大的EUV光透光率(light transmittance)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 euv 透光率 膜结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于保护光刻掩膜的超紫外线(EUV)膜结构(106)，所述膜结构包括：气凝胶膜(122)；框架(124)，用于将所述气凝胶膜装设在所述光刻掩膜之上；其中，所述气凝胶膜使所述膜结构具有增大的EUV光透光率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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