[发明专利]具有增大的EUV光透光率的EUV膜结构有效
| 申请号： | 200780041790.6 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101583906A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | O·R·伍德二世;K·永-韩;T·瓦洛 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增大 euv 透光率 膜结构 | ||
1.一种用于保护光刻掩膜的超紫外线(EUV)膜结构(106)，所述膜 结构包括：
气凝胶膜(122)；
框架(124)，用于将所述气凝胶膜装设在所述光刻掩膜之上；
其中，所述气凝胶膜使所述膜结构透射EUV光。
2.如权利要求1所述的超紫外线膜结构，其中，使用所述超紫外 线膜结构制造半导体晶粒。
3.如权利要求2所述的超紫外线膜结构，其中，所述半导体晶粒 为微处理器晶粒。
4.如权利要求1所述的超紫外线膜结构，其中，所述气凝胶膜包 括呈气凝胶形式的材料，其中，所述材料被选择以用于低EUV吸收。
5.一种用于制造半导体晶粒(114)的方法，所述方法包括下列步骤：
使用超紫外线(EUV)光刻打印机制造(202)晶圆(112)，所述光刻打 印机使用膜结构(106)以保护光刻掩膜(104)，所述膜结构包括气凝胶膜、 用于将所述气凝胶膜装设在所述光刻掩膜之上的框架，其中，所述气 凝胶膜使所述膜结构透射EUV光；
切割(204)所述晶圆以分离所述半导体晶粒(114)。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述气凝胶膜包括呈气凝胶 形式的材料，其中，所述材料被选择以用于低EUV吸收。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述材料包括硅。
8.如权利要求6所述的方法，其中，所述材料包括贵重或过渡金 属。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述贵重或过渡金属包括钌。
10.如权利要求5所述的方法，其中，所述半导体晶粒为微处理 器晶粒。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
