[发明专利]用于存储单元的自适应读写系统和方法有效

专利信息
申请号: 200780041025.4 申请日: 2007-11-05
公开(公告)号: CN101536108A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 杨雪石;格雷戈里·伯德 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: G11C16/28 分类号: G11C16/28;G11C11/56
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 李晓冬;南 霆
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要: 发明公开了一种自适应存储器读写系统和方法,其可以适应例如因存储单元的重复循环操作的有害影响而引起的存储单元的阈值电压分布的改变。该新系统可以至少包括多电平存储单元以及被可操作地耦合到多电平存储单元的计算模块,多电平存储单元可以是多电平闪存单元。计算模块可以被配置用于至少部分基于多电平存储单元的电平分布的估计中间值和标准偏差值来计算最优或近似最优中间值和检测阈值。计算模块计算出的最优或近似最优中间值和检测阈值可以随后被分别用于辅助向多电平存储单元写入数据和从多电平存储单元读取数据。
搜索关键词: 用于 存储 单元 自适应 读写 系统 方法
【主权项】:
1. 一种装置,包括:多电平存储单元;估计模块,该模块被配置用于确定所述多电平存储单元的电平分布的估计中间值和标准偏差值;以及计算模块,该模块被可操作地耦合到所述估计模块并且被配置用于至少部分基于所述估计中间值和标准偏差值计算至少最优或近似最优检测阈值,所述最优或近似最优检测阈值被用于辅助读取存储在所述多电平存储单元中的数据。
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