[发明专利]用于存储单元的自适应读写系统和方法有效

专利信息
申请号: 200780041025.4 申请日: 2007-11-05
公开(公告)号: CN101536108A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 杨雪石;格雷戈里·伯德 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: G11C16/28 分类号: G11C16/28;G11C11/56
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 李晓冬;南 霆
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储 单元 自适应 读写 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种适应存储单元的电平分布改变的自适应读写装置,包括:

多电平存储单元;

估计模块,该模块被配置用于确定所述多电平存储单元的电平分布的 估计中间值和估计标准偏差值;以及

计算模块,该模块被可操作地耦合到所述估计模块并且被配置用于至 少部分基于所述估计中间值和估计标准偏差值计算最优或近似最优中间值 以及最优或近似最优检测阈值,所述最优或近似最优中间值被用于辅助向 所述多电平存储单元写入数据,所述最优或近似最优检测阈值被用于辅助 读取存储在所述多电平存储单元中的数据,

其中,所述多电平存储单元包括至少一个具有M个电平的M电平存 储单元,并且所述计算模块还被配置用于根据下述方程计算所述M电平存 储单元的第i电平的近似最优中间值

mi~=m0+σ0+2Σk=1i-1σk+σiσ0+2Σk=1M-2σk+σM-1L]]>

其中,M为大于或等于2的正整数,i为所述M个电平的序数并且 0≤i≤M-1,mi是所述M电平存储单元的第i电平的估计中间值,σi是所述 M电平存储单元的第i电平的估计标准偏差值,L等于mM-1-m0,并且其 中,所述估计标准偏差值σ0、...、σM-1中的至少一者为非零值。

2.如权利要求1所述的装置,其中,所述多电平存储单元包括一个或 多个用于在其中存储预定数据的引导单元,并且所述估计模块还被配置用 于通过使用所述一个或多个引导单元来确定所述估计中间值和估计标准偏 差值。

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