[发明专利]具有减少微粒特性的上电极背衬构件有效

专利信息
申请号: 200780038609.6 申请日: 2007-10-16
公开(公告)号: CN101529558A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 安东尼·德拉列拉;阿兰·K·龙尼;金在贤;杰森·奥古斯蒂诺;拉金德尔·德辛德萨;王云昆;沙鲁巴·J·乌拉尔;安东尼·J·诺雷尔;基思·科门丹特;小威廉姆·丹堤 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/203
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 等离子处理装置的元件包括具有气体通道的背衬构件,该背衬构件连接于具有气体通道的上电极。为了抵消该金属背衬构件和上电极间的热膨胀系数的差异,气体通道的位置和大小被调整为在室温下是没有对齐的,而在升高的处理温度下是大体上同心的。因为热膨胀,该弹性体粘合材料中会产生不一致的切变应力。应用可变厚度的弹性体粘合材料或使用包含多个块的背衬构件可调节切变应力。
搜索关键词: 具有 减少 微粒 特性 电极 构件
【主权项】:
1.一种用于半导体基板处理的等离子处理装置的元件,该元件包含:第一构件,该第一构件具有多个第一穿通开口,该第一构件具有与等离子接触的表面和第一热膨胀系数;第二构件,该第二构件与该第一构件粘合,并具有多个第二穿通开口,该第二穿通开口与该第一构件中的该开口对应,该第二构件具有第二热膨胀系数,该第二热膨胀系数大于该第一热膨胀系数;其中,在室温下该第一和第二开口的中心沿着外周是没有对齐的,当该第一和第二构件被加热到升高的处理温度时,该第一构件中的该开口和该第二构件中的该开口的中心距离更近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780038609.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top