[发明专利]具有减少微粒特性的上电极背衬构件有效
申请号: | 200780038609.6 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101529558A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 安东尼·德拉列拉;阿兰·K·龙尼;金在贤;杰森·奥古斯蒂诺;拉金德尔·德辛德萨;王云昆;沙鲁巴·J·乌拉尔;安东尼·J·诺雷尔;基思·科门丹特;小威廉姆·丹堤 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/203 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 等离子处理装置的元件包括具有气体通道的背衬构件,该背衬构件连接于具有气体通道的上电极。为了抵消该金属背衬构件和上电极间的热膨胀系数的差异,气体通道的位置和大小被调整为在室温下是没有对齐的,而在升高的处理温度下是大体上同心的。因为热膨胀,该弹性体粘合材料中会产生不一致的切变应力。应用可变厚度的弹性体粘合材料或使用包含多个块的背衬构件可调节切变应力。 | ||
搜索关键词: | 具有 减少 微粒 特性 电极 构件 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体基板处理的等离子处理装置的元件,该元件包含:第一构件,该第一构件具有多个第一穿通开口,该第一构件具有与等离子接触的表面和第一热膨胀系数;第二构件,该第二构件与该第一构件粘合,并具有多个第二穿通开口,该第二穿通开口与该第一构件中的该开口对应,该第二构件具有第二热膨胀系数,该第二热膨胀系数大于该第一热膨胀系数;其中,在室温下该第一和第二开口的中心沿着外周是没有对齐的,当该第一和第二构件被加热到升高的处理温度时,该第一构件中的该开口和该第二构件中的该开口的中心距离更近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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