[发明专利]具有纳米线交叉型结的交叉型存储系统有效
| 申请号： | 200780038466.9 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101529523A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | W·罗宾奈特;P·J·库克斯 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘 佳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的多个实施例涉及交叉型存储系统和用于向这样的系统写入信息和读出其中所存储信息的方法。在本发明的一个实施例中，交叉型存储系统(1300)包括：第一层微米级信号线(808)；第二层微米级信号线(810)第一层纳米线(804)，其被配置成使各第一层纳米线与各第一层微米级的信号线(808)交迭；以及第二层纳米线(806)，其被配置成使各第二层纳米线与各第二层微米级的信号线(810)交迭且与各第一层纳米线(804)交迭。交叉型存储系统包括非线性隧穿电阻器(1526，1528)，其被配置成选择性地将第一层纳米线(804)连接至第一层微米级信号线(808)以及选择性地将第二层纳米线(806)连接至第二层微米级信号线(810)。交叉型存储系统(1300)还包括非线性隧穿滞后电阻器(1318)，其被配置成将各第一层纳米线(2008)在各个交叉点处连接至各第二层纳米线(2012)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 交叉 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种交叉型存储系统(1300)，包括：第一层微米级信号线(808)和第二层微米级信号线(810)；第一层一条或多条纳米线(804)，所述第一层一条或多条纳米线(804)被配置成使所述各第一层纳米线与所述各第一层微米级信号线交迭；第二层一条或多条纳米线(806)，所述第二层一条或多条纳米线(806)被配置成使所述各第一层纳米线与所述各第二层微米级信号线交迭且与所述各第一层纳米线(804)交迭；非线性隧穿电阻器(1526，1528)，所述非线性隧穿电阻器(1526，1528)被配置成将所述第一层纳米线(804)选择性地连接至第一层微米级信号线(808)，且将所述第二层纳米线(806)选择性地连接至第二层微米级信号线(810)；以及非线性隧穿滞后电阻器(1318)，所述非线性隧穿滞后电阻器(1318)被配置成将所述各第一层纳米线(2012)在各个交叉点处连接至所述各第二层纳米线(2008)。
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