[发明专利]具有纳米线交叉型结的交叉型存储系统

权利要求书

1.一种交叉型存储系统(1300)，包括：

第一层微米级信号线(808)和第二层微米级信号线(810)；

第一层一条或多条纳米线(804)，所述第一层一条或多条纳米线(804)被配 置成使所述各第一层纳米线与所述第一层微米级信号线的每一条交迭；

第二层一条或多条纳米线(806)，所述第二层一条或多条纳米线(806)被配 置成使所述各第二层纳米线与所述第二层微米级信号线的每一条交迭且与所述各第 一层纳米线(804)交迭；

非线性隧穿电阻器(1526，1528)，所述非线性隧穿电阻器(1526，1528)被 配置成将所述第一层纳米线(804)选择性地连接至第一层微米级信号线(808)，且将 所述第二层纳米线(806)选择性地连接至第二层微米级信号线(810)；以及

非线性隧穿滞后电阻器(1318)，所述非线性隧穿滞后电阻器(1318)被配置 成将所述各第一层纳米线(2012)在各个交叉点处连接至所述各第二层纳米线 (2008)。

2.如权利要求1所述的交叉型存储系统，其特征在于，还包括：

第一复用器(1322)，所述第一复用器(1322)被配置成复用所述第一层的一 条或多条纳米线(804)；

第二复用器(1326)，所述第二复用器(1326)被配置成复用所述第二层的一 条或多条纳米线(806)；

第一编码器(1320)，所述第一编码器(1320)连接至所述第一组微米级信号 线；以及

第二编码器(1324)，所述第二编码器(1324)连接至所述第二组微米级信号 线。

3.如权利要求2所述的交叉型存储系统，其特征在于，

所述第一复用器(1322)还包括与所述各第一层纳米线(804)交迭的第一导 线(1328)和将所述各第一层纳米线在各个交迭点处连接至所述第一导线的非线性隧 穿滞后电阻器；以及

所述第二复用器(1326)还包括与所述各第二层纳米线(806)交迭的第二导 线(1330)和将所述各第二层纳米线在各个交迭点处连接至所述第二导线的非线性隧 穿滞后电阻器。

4.如权利要求2所述的交叉型存储系统，其特征在于，所述编码器 (1320，1324)对在输入信号线上接收的各个不同输入地址产生n位码码字内部地 址。

5.如权利要求1所述的交叉型存储系统，其特征在于，所述各微米级信号 线(808，810)承载从所连接编码器输出的对应于n位码码字的一个位的电压，所述 第一层(804)中的各纳米线具有可区分的相关联n位码码字内部地址，且所述第二 层(806)中的各纳米线具有可区分的相关联n位码码字内部地址。

6.如权利要求1所述的交叉型存储系统，其特征在于，各个可重新配置的 隧穿滞后电阻器具有两个可区分的电导状态(506，508)，所述两个可区分的电导状 态对应于存储一位或多位信息。